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IRF7457
5000
4000
3000
2000
V GS = 0V,    f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
C oss
10
8
6
4
I D = 12A
V DS = 10V
1000
C rss
2
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10us
T J = 150 C
°
100
100us
10
T J = 25 C
°
1ms
10
1
10ms
T J = 150 C
0.1
0.2
V GS = 0 V
0.8         1.4         2.0
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
2.6
T C = 25 ° C
°
Single Pulse
1
0.1              1              10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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